对于所有的金属来说纯度是靶材的主要性能指标之一，为什么这么说呢?靶材的纯度对后期产品薄膜的性能影响很大。但是每一个产品对靶材的纯度要求也有不相同的地方。例如，微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，在以前的技术要示上对于靶材纯度是99.995%的靶材是完全可以满足0.35umIC的工艺要求，但是现在而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。
纯度说了,再说说靶材的杂质含量.什么是靶材的杂质含量?
在经过一系列的靶材工艺处理后靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。因为所处的用处不一样所以不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。比如现在的半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。
靶材的密度
密度也是靶材的关键性能指标之一.在靶材的技术工艺中为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，一般是要求靶材必须具有较高的密度。因为靶材主要特性密度对溅射速率有着很大的影响，并且影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。
最后来说一说晶粒尺寸及晶粒尺寸分布
通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。
靶材从目前的生产工艺和生产技术,对上面所有条件的要求是非常严格,而不是简单的要求因为这会对后期的产品有着重要的影响. |
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