二氧化硅

二氧化硅
化学符号：SiO2 
沸    点：2230℃
分 子 量：60.08 
外    观：白色、乳白色、灰色或无色
熔    点：1700℃ 
密    度：2.2-2.7g/cm³
在10-4Torr真空下蒸发温度为：1025℃ 
透 明 区/nm：200-8000
相对介电常数：3-4 
击穿电压/V•cm-1：106
厚    度μm：0.03-0.3 
沉积技术：反应溅射
折 射 率(波长/nm)：1.46(500) 
            1.445(1600)
线膨胀系数/℃-1:5.5×10-7
蒸发方式：电子束
性    能： 可用钽舟加热蒸发，也可用三氧化二铝坩埚加热蒸发，但由电阻加热蒸发会产生分解，由电子束加热蒸发效果很好；不溶于水和酸，但溶于氢氟酸；其微粒能与熔融碱起作用；
应    用： 二氧化硅用途广泛，主要用于冷光膜、防反膜、多层膜、滤光片、绝缘膜、眼镜膜、紫外膜等。