一氧化硅

一氧化硅
化学符号：SiO 
分 子 量：44.08
熔    点：1700℃ 
密    度：2.1g/cm3
折 射 率(波长/nm)：1.8-1.9(550)
                   1.7(6000) 
透明波段/nm：500-8000
相对介电常数:6
损耗因数：0.015-0.02 
频    率/kHz：1-103
坩    埚：Ta 
蒸发源方式：Ta、Mo 
沉积技术：蒸镀
溶 解 于：王水 
在10-4Torr蒸发温度：850℃
薄膜的机械和化学性质：适用电阻蒸发，应用低速率。低压下快速蒸发。
应    用：保护膜，冷光膜，装饰膜