高纯锗靶/高纯锗粒/北京石久高研金属材料有限公司

锗粒，锗靶，高纯锗

纯度：4N
化学符号：Ge   
原 子 量：72.61
折 射 率（波长/nm）：4.4（2000nm） 
熔    点：937℃
沸    点：2830℃ 
密    度：5.35g/cm3
蒸发方式：电子束，石墨舟 
坩    埚： Al2O3,石英
透明范围/nm:1700-100000 
外    观：银灰色晶体
在10-4Torr蒸发温度：1167℃ 
溶 解 于：热硫酸、王水，不与水作用，不溶于盐酸和稀硫酸
莫氏硬度：6.0-6.5 
薄膜的机械和化学性质：由BE源得极好膜层
性    能：室温下，晶态锗性脆，可塑性很小；锗的化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸气作用，但在600-700℃时，很快生成二氧化锗；在加热时，锗能在氧气、氯气和溴蒸汽中燃烧；锗与碳不起作 用，所以在石墨坩埚中熔化时不会被碳所污染；
高纯锗的优点：具有高的折射指数、低吸收、低色散、容易加工、有良好的机械强度、不吸潮等；
应    用：红外膜
用    途：广泛应用于红外光学器件、电子工业、光导纤维、医学、冶金、能源和太阳能电池